半導体製造前工程
半導体チップ内部にあるトランジスタや微細な配線を形成する工程には、TOK の主力製品であるフォトレジストなど様々な化学薬品が使用されています。
半導体の製造工程
前工程
- フォトレジストの塗布
- 露光
- 現像
- エッチング
- フォトレジストの除去
- 半導体領域の形成
- 絶縁膜の形成
- フォトレジスト塗布
- 露光
- 現像
- エッチング
- フォトレジストの除去
- 配線の形成
- 工程7以降の工程を繰り返し、集積回路を形成
- フォトレジストの塗布
- 露光
- 現像
- エッチング
- フォトレジストの除去
- 半導体領域の形成
- 絶縁膜の形成
- フォトレジスト塗布
- 露光
- 現像
- エッチング
- フォトレジストの除去
- 配線の形成
- 工程7以降の工程を繰り返し、集積回路を形成
Process.01フォトレジストの塗布
シリコン基板上に集積回路をつくり込み、
半導体チップを作る工程。
Process.02露光
フォトマスク(設計図)をフォトレジストに
転写します。
Process.03現像
不要な部分を除去し、
フォトレジストのパターン(レジストパターン)を形成します。
Process.04エッチング
レジストパターンを保護膜とし、
フォトレジストのない部分をエッチングします。
Process.05フォトレジストの除去
洗浄液などを用いて不要となった
フォトレジストを除去します。
Process.06半導体領域の形成
不純物拡散剤を塗布するなどしたのち、
高温で処理することで、
半導体領域が形成されます。
Process.07絶縁膜の形成
回路パターンの絶縁を保つための
絶縁膜を形成します。
Process.08フォトレジスト塗布
絶縁膜の上などに、
フォトレジストを塗布します。
Process.09露光
フォトマスク(設計図)をフォトレジストに
転写します。
Process.10現像
不要な部分を除去し、
レジストパターンを形成します。
Process.11エッチング
レジストパターンを保護膜とし、
フォトレジストのない部分をエッチングします。
Process.12フォトレジストの除去
洗浄液などを用いて不要となった
フォトレジストを除去します。
Process.13配線の形成
アルミニウムや銅などの導電性金属で
配線を形成します。
Process.14工程7以降の工程を繰り返し、集積回路を形成
7~13のプロセスを繰り返し行うことで、
集積回路が形成されます。
半導体製造に必要不可欠な化学薬品
フォトレジスト
フォトレジストは感光性材料と呼ばれ、光に反応して変化する材料です。
半導体デバイスの製造に関わるフォトリソグラフィという技術に必要不可欠な化学薬品です。
半導体デバイスの製造では、露光工程という写真製版技術を応用し、
原版(フォトマスク)に描かれた設計図をシリコンチップ上に縮小転写しています。
省電力・高性能な半導体を作るには、転写される回路をより小さくしていくことが求められ、
TOKのフォトレジストは、その要望に応えるために、日々進化しています。
TOKは半導体用フォトレジストで
グローバルシェアNo.1※1
TOKは、1968年に国産初の半導体用フォトレジストを開発し、販売を開始しています。
現在では、全ての露光機に対応したフォトレジストをフルラインナップで提供しており、高い市場競争力を持っています。
半導体用各種フォトレジストの当社シェア
(2023年の見込み出荷数量ベース*2)
EUV用フォトレジスト
ArF用フォトレジスト
KrF用フォトレジスト
g/i線用フォトレジスト
半導体製造前工程で使われる東京応化の化学薬品
TOKのコアテクノロジー
世界最高水準の微細加工技術と高純度化技術
最先端と呼ばれる数ナノレベルの回路を持つ半導体製造に使用されているTOKの製品は、世界最高水準の2つのコア技術が支えています。